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日本製 ポストシリコン半導体 ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果 : 萎び 物理学

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管理番号 新品 :88482220206
中古 :88482220206-1
メーカー 0905d4561a 発売日 2025-05-01 04:51 定価 24000円
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日本製 ポストシリコン半導体 ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果 : 萎び 物理学

ポストシリコン半導体 萎び : ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果ポストシリコン半導体 萎び : ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果,ナノスケールにおける有機分子の熱伝導特性の可視化に成功 光ナノスケールにおける有機分子の熱伝導特性の可視化に成功 光,阪大、六方晶窒化ホウ素を利用して二酸化バナジウム超薄膜の作製阪大、六方晶窒化ホウ素を利用して二酸化バナジウム超薄膜の作製,RESEARCH TOPRESEARCH TOP,ポストシリコン半導体材料として期待される原子層半導体への新規ポストシリコン半導体材料として期待される原子層半導体への新規
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